M10 MBB, N tipo TopCon 108 pusinių elementų 420W-435W juodo rėmo saulės modulis
Itin didelis energijos generavimas / itin didelis efektyvumas
Padidintas patikimumas
Apatinis dangtis / LETID
Aukštas suderinamumas
Optimizuotas temperatūros koeficientas
Žemesnė darbinė temperatūra
Optimizuotas degradavimas
Išskirtinis našumas esant prastam apšvietimui
Išskirtinis PID atsparumas
| Ląstelė | Mono 182*91mm |
| Ląstelių skaičius | 108 (6 × 18) |
| Vardinė maksimali galia (Pmax) | 420W-435W |
| Maksimalus efektyvumas | 21,5–22,3 % |
| Jungiamoji dėžutė | IP68,3 diodai |
| Maksimali sistemos įtampa | 1000V/1500V DC |
| Darbinė temperatūra | -40℃～+85℃ |
| Jungtys | MC4 |
| Matmenys | 1722*1134*30 mm |
| Vieno 20GP konteinerio Nr | 396 vnt |
| Vieno 40HQ konteinerio Nr | 936 vnt |
12 metų garantija medžiagoms ir apdirbimui;
30 metų garantija papildomai linijinei galiai.
* Pažangios automatizuotos gamybos linijos ir aukščiausios klasės žaliavų tiekėjai užtikrina, kad saulės kolektoriai būtų patikimesni.
* Visos saulės baterijų serijos išlaikė TUV, CE, CQC, ISO, UNI9177- 1 ugnies klasės kokybės sertifikatą.
* Išplėstinė Half-cells, MBB ir PERC saulės elementų technologija, didesnis saulės baterijų efektyvumas ir ekonominė nauda.
* A klasės kokybė, palankesnė kaina, 30 metų ilgesnis tarnavimo laikas.
Plačiai naudojamas gyvenamojoje PV sistemoje, komercinėje ir pramoninėje PV sistemoje, komunalinių paslaugų masto PV sistemoje, saulės energijos kaupimo sistemoje, saulės vandens siurblyje, namų saulės sistemoje, saulės stebėjimo sistemose, saulės gatvių šviestuvuose ir kt.
Saulės energija yra atsinaujinantis energijos šaltinis, kuris gali būti naudojamas elektros energijai gaminti naudojant fotovoltinius (PV) elementus.Fotovoltiniai elementai dažniausiai gaminami iš silicio – puslaidininkio.Silicis yra legiruotas priemaišomis, kad būtų sukurtos dviejų tipų puslaidininkinės medžiagos: n tipo ir p tipo.Šių dviejų tipų medžiagos turi skirtingas elektrines savybes, todėl jas galima naudoti įvairiai saulės energijos gamyboje.
N tipo PV elementuose silicis yra legiruotas su priemaišomis, tokiomis kaip fosforas, kurios medžiagai atiduoda elektronų perteklių.Šie elektronai gali laisvai judėti medžiagoje, sukurdami neigiamą krūvį.Kai saulės energija patenka į fotovoltinį elementą, ją sugeria silicio atomai, sukurdami elektronų ir skylių poras.Šios poros yra atskirtos elektriniu lauku fotovoltiniame elemente, kuris stumia elektronus link n tipo sluoksnio.
P tipo fotovoltiniuose elementuose silicis yra legiruotas su priemaišomis, tokiomis kaip boras, kurios bado elektronų medžiagą.Tai sukuria teigiamus krūvius arba skyles, kurios gali judėti aplink medžiagą.Kai šviesos energija patenka ant PV elemento, ji sukuria elektronų skylių poras, tačiau šį kartą elektrinis laukas stumia skyles link p tipo sluoksnio.
Skirtumas tarp n tipo ir p tipo fotovoltinių elementų yra tas, kaip ląstelėje teka dviejų tipų krūvininkai (elektronai ir skylės).N tipo PV elementuose fotogeneruoti elektronai teka į n tipo sluoksnį ir yra surenkami metaliniais kontaktais ląstelės gale.Vietoj to, sukurtos skylės stumiamos link p tipo sluoksnio ir patenka į metalinius kontaktus, esančius elemento priekyje.Priešingai yra p-tipo PV elementų atveju, kai elektronai teka į metalinius kontaktus elemento priekyje, o skylės teka į galą.
Vienas iš pagrindinių n tipo PV elementų privalumų yra didesnis jų efektyvumas lyginant su p tipo ląstelėmis.Dėl elektronų pertekliaus n tipo medžiagose, absorbuojant šviesos energiją, lengviau susidaro elektronų skylių poras.Tai leidžia akumuliatoriuje generuoti daugiau srovės, todėl išėjimo galia yra didesnė.Be to, n tipo fotovoltiniai elementai yra mažiau linkę skaidytis dėl priemaišų, todėl jų tarnavimo laikas ilgesnis ir energijos gamyba yra patikimesnė.
Kita vertus, P tipo fotovoltiniai elementai dažniausiai pasirenkami dėl mažesnių medžiagų sąnaudų.Pavyzdžiui, silicis, legiruotas su boru, yra pigesnis nei silicis, legiruotas su fosforu.Dėl to p tipo fotovoltiniai elementai yra ekonomiškesnis pasirinkimas didelio masto saulės energijos gamybai, kuriai reikia daug medžiagų.
Apibendrinant galima pasakyti, kad n-tipo ir p-tipo fotovoltiniai elementai turi skirtingas elektrines savybes, todėl jie yra tinkami įvairiems pritaikymams saulės energijos gamyboje.Nors n tipo ląstelės yra efektyvesnės ir patikimesnės, p tipo ląstelės paprastai yra ekonomiškesnės.Šių dviejų saulės elementų pasirinkimas priklauso nuo konkrečių pritaikymo poreikių, įskaitant norimą efektyvumą ir turimą biudžetą.
